https://optimoney.ru

Оперативная память

Everspin начинает пробные поставки энергонезависимой памяти нового типа

13 ноября 2012

Компания представила магниторезистивную память с произвольным доступом, выполненную по технологии переключения с помощью переноса спина. Вместимость модулей — 64 Мбит.

Обнародована спецификация памяти DDR4

26 сентября 2012

Ожидается, что память нового типа, обладающая пониженным напряжением питания, найдёт применение в серверах, портативных и настольных компьютерах, а также устройствах бытовой электроники.

Samsung начинает выпуск модулей мобильной памяти нового поколения

19 сентября 2012

Южнокорейская компания объявила о массовом производстве первых в отрасли модулей LPDDR3 вместимостью 2 Гб, при изготовлении которых применяется 30-нанометровая технология.

Toshiba готовится к началу производства памяти нового типа

16 июля 2012

Корпорация намерена освоить выпуск флеш-модулей NAND с трёхмерной архитектурой, энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом, а также магниторезистивной памяти.

Samsung представляет первые в мире серверные модули DDR4 на 16 Гб

4 июля 2012

По сравнению с микросхемами DDR3 память нового типа отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания. Пробные поставки DDR4-изделий уже начались.

Micron представила первые полнофункциональные модули памяти DDR4 DRAM

10 мая 2012

Ожидается, что внедрение DDR4 в сегменте оборудования корпоративного класса, микросерверов, тонких клиентов, планшетных компьютеров и других устройств начнётся в 2013 году.

Elpida начала поставки модулей мобильной памяти нового поколения

29 декабря 2011

Изделия Wide IO Mobile RAM и LPDDR3 обеспечивают соответственно вчетверо и вдвое более высокую пропускную способность по сравнению с модулями LPDDR2. Ёмкость новых чипов — 4 гигабита.

IBM и Micron начинают производство памяти нового типа

2 декабря 2011

Изделия Hybrid Memory Cube, выполненные по 32-нанометровой технологии, представляют собой многослойные модули из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой.

AMD начинает продажи памяти под своим брендом

29 ноября 2011

Покупателям будут предлагаться модули DDR3 линеек Entertainment, Performance и Radeon; объём изделий составит 2, 4 или 8 Гб. Цены компания не уточняет, но обещает, что они будут конкурентоспособными.

Elpida представила микросхемы памяти нового поколения для мобильных устройств

25 ноября 2011

Изделия DDR3 Mobile RAM ёмкостью 4 гигабита, произведённые по 30-нанометровой технологии, как утверждается, обеспечивают вдвое более высокую скорость передачи данных по сравнению с DDR2 Mobile RAM.