Оперативная память

Micron представила первые полнофункциональные модули памяти DDR4 DRAM

10 мая 2012

Ожидается, что внедрение DDR4 в сегменте оборудования корпоративного класса, микросерверов, тонких клиентов, планшетных компьютеров и других устройств начнётся в 2013 году.

Elpida начала поставки модулей мобильной памяти нового поколения

29 декабря 2011

Изделия Wide IO Mobile RAM и LPDDR3 обеспечивают соответственно вчетверо и вдвое более высокую пропускную способность по сравнению с модулями LPDDR2. Ёмкость новых чипов — 4 гигабита.

IBM и Micron начинают производство памяти нового типа

2 декабря 2011

Изделия Hybrid Memory Cube, выполненные по 32-нанометровой технологии, представляют собой многослойные модули из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой.

AMD начинает продажи памяти под своим брендом

29 ноября 2011

Покупателям будут предлагаться модули DDR3 линеек Entertainment, Performance и Radeon; объём изделий составит 2, 4 или 8 Гб. Цены компания не уточняет, но обещает, что они будут конкурентоспособными.

Elpida представила микросхемы памяти нового поколения для мобильных устройств

25 ноября 2011

Изделия DDR3 Mobile RAM ёмкостью 4 гигабита, произведённые по 30-нанометровой технологии, как утверждается, обеспечивают вдвое более высокую скорость передачи данных по сравнению с DDR2 Mobile RAM.

Elpida разработала модули мобильной DRAM-памяти нового поколения

21 ноября 2011

Изделия Wide IO Mobile RAM ёмкостью 4 гигабита обеспечивают вчетверо более высокую пропускную способность по сравнению с модулями LPDDR2.

Создан самый маленький в отрасли микрочип DDR3 DRAM ёмкостью 4 Гбит

26 сентября 2011

Чип, изготовленный компанией Elpida Memory по 25-нанометровой технологии, как утверждается, обладает на 25–30 процентов меньшим токопотреблением в рабочем режиме по сравнению с 30-нанометровыми изделиями. Массовое производство намечено на конец года.

В Samsung разработаны «зелёные» модули памяти DDR3 для серверов

19 августа 2011

Компания представила новые модули RDIMM ёмкостью до 32 Гб, обладающие пониженным энергопотреблением. При их изготовлении используется технология 3D-компоновки.

Hynix и Toshiba займутся разработкой MRAM-памяти

13 июля 2011

Компании объединят усилия с целью совершенствования технологий изготовления магниторезистивной памяти с произвольным доступом, которая в перспективе найдёт применение в том числе в мобильных устройствах.

Elpida начала поставки энергетически эффективных образцов памяти DDR3 SDRAM

29 июня 2011

При изготовлении модулей памяти использована технология 3D-компоновки Through-Silicon Via, позволяющая создавать многоярусные чипы. Ёмкость показанных образцов — 1 Гб.