Японская компания Elpida начала распространение образцов памяти DDR3 SDRAM, при изготовлении которой применена технология 3D-компоновки TSV.
Суть методики TSV (Through-Silicon Via) заключается в формировании в кремниевых подложках миниатюрных отверстий, заполняемых медью. Такие каналы играют роль проводников, что позволяет создавать многоярусные чипы. В результате существенно повышается плотность хранения информации.
Образцы памяти Elpida имеют ёмкость 8 Гбит (1 Гб) и состоят из четырёх 2-гигабитных микрочипов DDR3 SDRAM. По заявлениям разработчиков, по сравнению с обычными модулями SO-DIMM (Small-outline DIMM) новые изделия обеспечивают снижение потребляемой мощности на 20% в рабочем режиме и на 50% в режиме простоя. Площадь, занимаемая такими модулями на плате компьютера, может быть уменьшена на 70%.
Ожидается, что в перспективе память DDR3 SDRAM, выполненная по технологии TSV, найдёт применение в тонких ноутбуках, планшетных компьютерах и других мобильных устройствах.