https://optimoney.ru

Железо и гаджеты

Железо и гаджеты / Оперативная память /

IBM и Micron начинают производство памяти нового типа

02 декабря 2011 года, 15:45 | Текст: Владимир Парамонов | Послушать эту новость

Компании IBM и Micron приступают к изготовлению инновационной памяти Hybrid Memory Cube (HMC) для компьютерных устройств следующего поколения.

Структура Hybrid Memory Cube (иллюстрация IBM).
Структура Hybrid Memory Cube (иллюстрация IBM).

Изделия HMC будут изготавливаться на заводе IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк) по методике HKMG, которая основана на использовании диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими затворами (metal gate). Технологические нормы — 32 нанометра.

Для модулей памяти HMC предусмотрено применение технологии TSV (Through-Silicon Via), суть которой в формировании в кремниевых подложках миниатюрных отверстий, заполняемых медью. Такие каналы играют роль проводников, что позволяет создавать многоярусные чипы. В результате существенно повышается плотность хранения информации.

Многослойные модули HMC состоят из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой. По заявлениям разработчиков, по сравнению с обычными микросхемами памяти изделия HMC обеспечивают увеличение пропускной способности в 10–15 раз (до 128 Гб/с) и снижение энергопотребления на 70%. Занимаемая модулем площадь при этом меньше в 10 раз.

Подготовлено по материалам IBM.

Каждый день слушайте итоговый подкаст Свободного Радио «Компьюлента»!
blog comments powered by Disqus

Последние новости по теме "Оперативная память":

Архив материалов
  «   Ноябрь 2012   »  
ПнВтСрЧтПтСбВс
      1 2 3 4
5 6 7 8 9 10 11
12 13 14 15 16 17 18
19 20 21 22 23 24 25
26 27 28 29 30