анонсировала микрочипы магниторезистивной памяти EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM, предназначенные для использования в высокопроизводительных системах хранения данных.
Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM), хранящая информацию при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа, являются энергонезависимыми и обеспечивают высокую скорость передачи данных. MRAM, как ожидается, в перспективе придёт на смену DRAM и NAND.
Новые изделия Everspin выполнены по технологии переключения с помощью переноса спина (). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.
В настоящее время Everspin поставляет ознакомительные образцы чипов ST-MRAM вместимостью 64 Мбит. В перспективе планируется достичь гигабитных плотностей. Ожидается, что новая память найдёт применение в том числе в облачных хранилищах информации.
О широкой доступности ST-MRAM будет объявлено в 2013 году.
