https://optimoney.ru

Железо и гаджеты

Железо и гаджеты / Оперативная память /

Everspin начинает пробные поставки энергонезависимой памяти нового типа

13 ноября 2012 года, 12:40 | Текст: Владимир Парамонов | Послушать эту новость

Everspin анонсировала микрочипы магниторезистивной памяти EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM, предназначенные для использования в высокопроизводительных системах хранения данных.

Модуль Everspin EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM (изображение производителя).
Модуль Everspin EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM (изображение производителя).


Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM), хранящая информацию при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа, являются энергонезависимыми и обеспечивают высокую скорость передачи данных. MRAM, как ожидается, в перспективе придёт на смену DRAM и NAND.

Новые изделия Everspin выполнены по технологии переключения с помощью переноса спина (Spin-Torque). Эта методика призвана решить проблемы, с которыми «классическая» технология MRAM будет сталкиваться при увеличении плотности размещения ячеек памяти и повышении тока записи.

В настоящее время Everspin поставляет ознакомительные образцы чипов ST-MRAM вместимостью 64 Мбит. В перспективе планируется достичь гигабитных плотностей. Ожидается, что новая память найдёт применение в том числе в облачных хранилищах информации.

О широкой доступности ST-MRAM будет объявлено в 2013 году.

Подготовлено по материалам Everspin.

Каждый день слушайте итоговый подкаст Свободного Радио «Компьюлента»!
blog comments powered by Disqus

Последние новости по теме "Оперативная память":