В Samsung протестирован первый чип DRAM, изготовленный по технологии 40 нм

Южнокорейская компания Samsung сообщила о том, что протестировала первую в мире микросхему динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), выполненную с применением 40-нанометровой технологии.

Модуль DRAM Samsung, выполненный с применением 40-нанометрового техпроцесса.

Разработчики отмечают, что энергопотребление у новых микросхем DRAM на 30% меньше, чем у чипов, произведенных с использованием 50-нанометрового техпроцесса. Что, в частности, позволит несколько увеличить время автономной работы ноутбуков. Кроме того, более точное изготовление узлов микросхем DRAM даст прирост производительности — примерно на 60%.

Ожидается, что переход на 40 нанометров ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно вполовину. Компания Samsung намерена начать использование этой технологии в массовом производстве уже в конце текущего года — с изготовления 2-гигабитных модулей DDR3. А в 2010 году на рынке появятся микросхемы DDR2, выполненные по 40-нанометровому техпроцессу.

Предполагается, что массовое внедрение 40-нанометрового процесса станет важным шагом на пути к разработке технологий создания сверхпроизводительных компонентов DRAM нового поколения — DDR4.

Подготовлено по материалам Samsung.