В Samsung создана мобильная память DRAM с «широким интерфейсом ввода/вывода»

Новые микрочипы DRAM (изображение Akihabaranews.com).

Компания Samsung сообщила об очередных достижениях в разработке микрочипов памяти DRAM для мобильных устройств, а именно о создании микросхемы DRAM с «широким интерфейсом ввода/вывода» (Wide I/O Interface), которая имеет ёмкость 1 Гбит и производится по технологии класса 50 нанометров.

По словам разработчика, микрочипы обеспечивают пропускную способность в 12,8 Гб/с. Это в восемь раз больше по сравнению с обычной мобильной памятью DDR DRAM (1,6 Гб/с) и вчетверо — по отношению к LPDDR2 DRAM (примерно 3,2 Гб/с).

Добиться повышения пропускной способности удалось за счёт увеличения числа контактов ввода/вывода до 512. Для сравнения: количество этих элементов в микросхемах мобильной памяти DRAM предыдущего поколения равно 32.

Ожидается, что новые чипы будут использоваться в смартфонах, планшетных компьютерах и других гаджетах.

На 2013 год «Самсунг» наметил выпуск микросхем DRAM с «широким интерфейсом ввода/вывода» ёмкостью 4 Гбит. Они будут изготавливаться по 20-нанометровой технологии.

Подготовлено по материалам Samsung.

Каждый день слушайте итоговый подкаст Свободного Радио «Компьюлента»!