Железо и гаджеты

Железо и гаджеты / Накопители / Флеш /

Toshiba рапортует о новых достижениях в разработке NAND-памяти

04 февраля 2013 года, 10:45 | Текст: Владимир Парамонов

Корпорация Toshiba на выставке Nanotech 2013 рассказала о достижениях в разработке флеш-памяти NAND.

300-миллиметровая пластина с микрочипами NAND-памяти Toshiba (фото Tech-On!).
300-миллиметровая пластина с микрочипами NAND-памяти Toshiba (фото Tech-On!).


Компания продемонстрировала 300-миллиметровую пластину с микрочипами NAND объёмом 128 Гбит, изготовленными по 19-нанометровой технологии. В каждой ячейке этих изделий хранится три бита информации.

Toshiba отмечает, что для минимизации взаимного влияния ячеек друг на друга была использована методика плавающих затворов с воздушными зазорами. В результате удалось добиться надёжности работы, характерной для 24-нанометровых изделий.

По сравнению с флеш-памятью NAND, в ячейках которой хранится два бита данных, новые чипы обладают приблизительно в десять раз меньшим количеством циклов перезаписи. Это ограничивает область применения микрочипов флеш-брелоками, картами памяти и т. п.

19-нанометровая технология считается сейчас самой передовой при массовом производстве флеш-памяти.

Подготовлено по материалам Tech-On!.

blog comments powered by Disqus

Последние новости по теме "Флеш":

Архив материалов
  «   Март 2013   »  
ПнВтСрЧтПтСбВс
        1 2 3
4 5 6 7 8 9 10
11 12 13 14 15 16 17
18 19 20 21 22 23 24
25 26 27 28 29 30 31