Железо и гаджеты

Samsung улучшила характеристики чипов памяти GDDR4

26 февраля 2007 года, 13:22 | Текст: Владимир Парамонов

Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о разработке быстродействующих чипов памяти GDDR4 (Graphics Double-Data-Rate), обеспечивающих пропускную способность до 4 Гбит/с.

Новые чипы GDDR4 изготавливаются с применением 80-нанометровой технологии и имеют емкость в 512 Мбит (частота 2 ГГц). По утверждениям производителя, модули обеспечивают 66-процентный прирост производительности по сравнению с текущим поколением чипов GDDR4 со скоростью передачи данных в 2,4 Гбит/с. Представленные чипы соответствуют стандарту JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council - Объединенный совет разработчиков электронных компонентов).

По всей видимости, новые чипы GDDR4 будут использоваться в графических контроллерах AMD и nVidia следующего поколения. Пробные поставки быстродействующих модулей GDDR4 должны начаться до конца текущего месяца, сроки массового производства пока не уточняются.

Последние новости по теме:

Micron и Nanya создадут совместное предприятие по производству памяти | 22 апреля 2008 года, 10:24
MetaRAM предложила новую технологию увеличения объема памяти серверов | 27 февраля 2008 года, 10:35
Кадр дня: Внутренности OLPC XO | 21 января 2008 года, 18:54
Samsung начала пробные поставки микрочипов памяти GDDR5 | 04 декабря 2007 года, 12:45
OCZ представила первые модули памяти с поддержкой XMP | 13 сентября 2007 года, 11:12
Появились подробности о новой технологии AMD G3MX | 24 августа 2007 года, 16:11
Создан микрочип памяти Mobile DRAM емкостью в 1 Гб | 13 августа 2007 года, 14:15
Кадр дня: Почтовые марки по мотивам "Звездных войн" | 02 апреля 2007 года, 19:00
В новых модулях памяти OCZ используются тепловые трубки | 27 февраля 2007 года, 15:15
Samsung улучшила характеристики чипов памяти GDDR4 | 26 февраля 2007 года, 13:22