Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила о разработке новой микросхемы памяти Mobile DRAM. По заявлениям производителя, представленный чип является первым в отрасли цельным модулем стандарта Mobile DRAM, имеющим емкость 1 Гбит.

Микрочипы памяти Samsung (фотография производителя)

Память Mobile DRAM предназначена для использования в портативных устройствах, таких как цифровые фотоаппараты, карманные медиаплееры и портативные игровые приставки. В настоящее время широко распространены решения, в которых на одной подложке объединены два микрочипа Mobile DRAM объемом в 512 Мбит. Монолитная микросхема Samsung емкостью в 1 Гбит по сравнению со сдвоенными модулями характеризуется меньшей толщиной. Кроме того, новинка потребляет на 30 процентов меньше энергии, что положительно отразится на времени автономной работы портативных устройств от аккумуляторов.

Микросхема Samsung объемом в 1 Гбит изготовлена с использованием 80-нанометровой технологии. Массовое производство чипов намечено на второй квартал следующего года, об их стоимости пока ничего не сообщается.