Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства микросхем памяти DDR2 DRAM ёмкостью в 1 Гбит с использованием 80-нанометровой технологии.
Микросхемы памяти Samsung |
В настоящее время на рынке уже присутствуют чипы памяти DDR2 ёмкостью в 1 Гбит. Однако выпускаются они с использованием 90-нанометрового техпроцесса. Переход на более современную 80-нанометровую технологию, по заявления Samsung, позволил снизить себестоимость изготовления микросхем и уменьшить их габариты. Так, новый чип памяти имеет размеры 11 x 11,5 миллиметра, что примерно на 36 процентов меньше размеров микросхем, выполненных по 90-нанометровой технологии (11 х 18 миллиметров).
Большая часть производимых в настоящее время чипов DRAM ёмкостью в 1 Гбит используется в серверных модулях памяти объёмом 4 Гб с полной буферизацией и модулях SODIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) объёмом 2 Гб.
Согласно оценкам специалистов аналитической фирмы Gartner, в текущем году рынок памяти DRAM достигнет объёма в 28,7 миллиарда долларов США. В следующем году данный показатель, предположительно, вырастет до отметки в 32,2 миллиарда долларов, а к 2008 году вплотную приблизится к 38 миллиардам долларов США. На долю микросхем памяти ёмкостью 1 Гб в настоящее время приходится около восьми процентов от всего объёма чипов DRAM. Однако к 2008 году, по прогнозам Gartner, доля таких микрочипов увеличится до 36 процентов, то есть, в четыре с половиной раза.