Samsung Electronics и Sun Microsystems представили совместно разработанную одноуровневую 8-гигабайтную флеш-карту, поддерживающую большое количество циклов записи, сообщает Computerworld.

Срок службы нового полупроводникового устройства памяти, по заявлению производителей, в 5 раз превышает стандартный жизненный цикл флеш-карт. В среднем одноуровневые флеш-карты поддерживают до 100 тысяч циклов записи-стирания.

Срок появления новинки на рынке и ее возможная цена пока не названы.

Грэм Ловелл, директор Sun Open Storage, подтвердил информацию о совместной работе с Samsung по созданию флеш-карт следующего поколения, но отказался раскрыть технические детали и сроки выхода нового продукта. Он заявил, что разработка в большей степени принадлежит их партнеру. Пока неизвестно сбирается ли Sun продавать совместно разработанный продукт. В конце года компания планирует представить на рынке собственное полупроводниковое оборудование для серверов.

Ловелл сообщил, что новая карта памяти будет использоваться компанией Samsung для ресурсоемких серверных операций, а также комплексных процессов обработки и хранения больших объемов данных.

Аналитики прогнозируют скорый переход корпоративных клиентов на полупроводниковые технологии. Единственным препятствием для распространения флеш-накопителей, по мнению экспертов, является их высокая по сравнению традиционными устройствами памяти стоимость.