Компании Intel и STMicroelectronics сообщили о начале пробных поставок экспериментальных микрочипов памяти с изменяемым фазовым состоянием (Phase Change Memory, PCM).

Память с изменяемым фазовым состоянием рассматривается в качестве потенциальной альтернативы широко распространенной флэш-памяти. Принцип работы чипов РСМ основан на свойстве халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой - кристаллический проводник. Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нолем и единицей.

Микрочип РСМ, созданный специалистами Intel и STMicroelectronics, получил название Alverstone. Он производится по 90-нанометровой технологии и имеет емкость 128 Мбит. В Intel подчеркивают, что Alverstone характеризуется очень высокими скоростями чтения и записи информации, потребляя при этом меньше энергии, нежели флэш-память. По заявлениям Intel, благодаря началу выпуска чипов Alverstone потенциальные покупатели впервые смогут на практике ознакомиться с характеристиками памяти с изменяемым фазовым состоянием.

Кроме того, в ходе Международной конференции по твердотельным схемам ISSCC 2008 (International Solid State Circuits Conference) в Сан-Франциско (Калифорния, США) корпорация Intel объявила о разработке первых микрочипов памяти РСМ, выполненных по технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level Cell, MLC). Данная методика позволяет повысить плотность памяти и снизить себестоимость ее производства.