Японская корпорация NEC сообщила о достижении очередных успехов в области разработки магниторезистивной памяти MRAM. По утверждениям NEC, специалистам компании удалось создать самый быстродействующий на сегодняшний день чип MRAM, который может стать альтернативой памяти SRAM.

Память MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) совмещает достоинства динамической и флэш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа и одновременно являются энергонезависимыми. Кроме того, в отличие от флэш-памяти, характеристики чипов MRAM не ухудшаются во время эксплуатации. Наконец, магниторезистивная память обладает относительно небольшим энергопотреблением.

Анонсированная компанией NEC микросхема MRAM может работать на частоте в 250 МГц. По заявлениям NEC, это рекордный показатель для подобного типа чипов памяти. Емкость микросхемы составляет 1 Мбит. Предполагается, что новые чипы MRAM в перспективе смогут заменить в компьютерных устройствах статическую оперативную память (SRAM). Кроме того, магниторезистивная память вполне может стать альтернативой традиционной флэш-памяти в цифровых фотоаппаратах, плеерах, смартфонах и прочих гаджетах.

Нужно заметить, что исследования в области магниторезистивной памяти проводят и другие компании, в частности, Toshiba и Freescale Semiconductor. Кстати, последняя еще в середине прошлого года начала продажи микрочипов MRAM емкостью в 4 Мбит.