Американское подразделение компании Fujitsu сообщило о начале массового производства микросхем энергонезависимой памяти FRAM емкостью в 2 Мбит.

По сравнению с традиционными типами памяти, сегнетоэлектрическая энергонезависимая память с произвольным доступом FRAM имеет ряд существенных преимуществ. Микросхемы FRAM, в частности, обладают высоким быстродействием и характеризуются фактически неограниченным количеством циклов перезаписи.

По заявлениям Fujitsu, новые микросхемы FRAM способны хранить информацию в отсутствии питания не менее десяти лет. Время доступа в режиме чтения составляет около 100 наносекунд, в режиме чтения/записи - 150 наносекунд. Чипы выдерживают, как минимум, десять миллиардов циклов перезаписи, напряжение питания составляет от 3 до 3,6 В.

Микросхемы FRAM позиционируются для использования в автомобильных навигационных системах, принтерах, электронных измерительных приборах и другом оборудовании, требующем наличия энергонезависимой памяти. Микросхемы FRAM емкостью в 2 Мбит выпускаются в корпусировке TSOP-48. Поставки чипов ограниченными партиями уже начались, их стоимость составляет около 17 долларов США.

Нужно отметить, что в настоящее время существуют и другие альтернативы традиционным видам энергонезависимой памяти. Например, корпорация Intel во второй половине текущего года намерена организовать массовый выпуск микросхем памяти PRAM с изменяемым фазовым состоянием. Модули PRAM будут позиционироваться в качестве альтернативы широко распространенной флэш-памяти NOR. На первом этапе Intel планирует освоить производство микросхем PRAM емкостью в 128 Мбит.