Тайваньская компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), известный контрактный производитель полупроводниковой продукции, намерена начать выпуск чипов по 45-нанометровой технологии в сентябре нынешнего года.
По заявлениям TSMC, переход на 45-нанометровый техпроцесс позволит повысить плотность размещения элементов на чипе в два раза по сравнению с микросхемами, выполненными по 65-нанометровой технологии. Конечные изделия будут характеризоваться пониженным энергопотреблением и на 40% меньшими размерами по сравнению с текущим поколением чипов. Улучшение данных характеристик особенно важно в тех случаях, когда речь идет о портативных устройствах, питающихся от аккумуляторных батарей.
Новая 45-нанометровая технология производства TSMC объединяет 193-нанометровую иммерсионную фотолитографию, диэлектрики со сверхнизкой диэлектрической проницаемостью (extreme low-k) и методику напряженного кремния. Различные разновидности техпроцесса, адаптированные для выпуска микросхем общего назначения и высокопроизводительных чипов, по заявлениям TSMC, обеспечат 30-процентный прирост производительности по сравнению с решениями, изготовленными по 65-нанометровой технологии.
Нужно отметить, что в текущем году производство процессоров по 45-нанометровой технологии планирует наладить и корпорация Intel. Данная технология производства, в частности, будет использоваться на заводе Intel Fab D1D в Орегоне, а также фабрике Fab 32 в Чэндлере (Аризона). Кроме того, для выпуска продукции по 45-нанометровой технологии в ближайшее время должно быть переоборудовано предприятие Fab 11X в Нью-Мексико.
