Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о разработке быстродействующих чипов памяти GDDR4 (Graphics Double-Data-Rate), обеспечивающих пропускную способность до 4 Гбит/с.

Новые чипы GDDR4 изготавливаются с применением 80-нанометровой технологии и имеют емкость в 512 Мбит (частота 2 ГГц). По утверждениям производителя, модули обеспечивают 66-процентный прирост производительности по сравнению с текущим поколением чипов GDDR4 со скоростью передачи данных в 2,4 Гбит/с. Представленные чипы соответствуют стандарту JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council - Объединенный совет разработчиков электронных компонентов).

По всей видимости, новые чипы GDDR4 будут использоваться в графических контроллерах AMD и nVidia следующего поколения. Пробные поставки быстродействующих модулей GDDR4 должны начаться до конца текущего месяца, сроки массового производства пока не уточняются.