Обнародована спецификация памяти нового типа Hybrid Memory Cube

Консорциум Hybrid Memory Cube (НМС), объединяющий более 100 участников, обнародовал финальную спецификацию одноимённой памяти для компьютерных устройств следующего поколения.

Иллюстрация Computerworld.

Многослойные модули HMC состоят из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой. По заявлениям разработчиков, по сравнению с обычными микросхемами памяти изделия HMC обеспечивают увеличение пропускной способности в 10–15 раз и снижение энергопотребления на 70%. Занимаемая модулем площадь меньше в 10 раз.

Спецификация HMC допускает два варианта расположения модулей памяти относительно процессора: на малом (SR) и сверхмалом (USR) расстоянии. В первом случае дистанция не превысит 8–10 дюймов, во втором — 2–3 дюймов. Для конфигурации SR скорость передачи данных может достигать 15 Гбит/с на вывод, для конфигурации USR — 10 Гбит/с. В перспективе эти показатели планируется увеличить до 28 и 15 Гбит/с соответственно.

Для модулей памяти HMC предусмотрено применение технологии TSV (Through-Silicon Via), суть которой — в формировании в кремниевых подложках миниатюрных отверстий, заполняемых медью. Такие каналы играют роль проводников, что позволяет создавать многоярусные чипы.

Первые модули Hybrid Memory Cube будут иметь ёмкость 2 и 4 Гб. Пропускная способность в обоих направлениях достигнет 160 Гб/с.

С полной спецификацией Hybrid Memory Cube можно ознакомиться здесь.

Подготовлено по материалам Hybrid Memory Cube.

Каждый день слушайте итоговый подкаст Свободного Радио «Компьюлента»!

blog comments powered by Disqus