Корпорация Intel разрабатывает новый производственный процесс на базе 65-нанометровой технологии, который, как ожидается, позволит наладить выпуск чипов со сверхнизким энергопотреблением для мобильных устройств.

Одним из основных факторов, способствующих снижению энергопотребления процессоров, является оптимизация структуры транзистора и уменьшение утечек электричества. Решения, созданные по 65-нанометровой технологии Intel, уже превосходят по производительности и по энергопотреблению чипы, изготовленные по широко используемой 90-нанометровой технологии. С переходом же на сверхэкономичный 65-нанометровый техпроцесс показатели энергопотребления чипов будут существенно улучшены.

Представители Intel отмечают, что 65-нанометровая технология со сверхнизким энергопотреблением теоретически позволяет снизить утечки электричества в тысячу раз по сравнению со стандартным техпроцессом. Новая методика включает в себя несколько основных изменений, которые позволяют сократить три основных вида утечки носителей заряда в транзисторах: субпороговую утечку, утечку через переходы и утечку через оксидный слой затвора. Это, в свою очередь, обеспечивает значительное увеличение времени автономной работы портативных устройств.

Следует добавить, что 65-нанометровая технология Intel позволят создавать транзисторы с размером затвора 35 нм. Для сравнения современные транзисторы, применяющиеся в процессорах Pentium 4, имеют затвор размером в 50 нм. Таким образом, на кристалле, произведенном по 65-нанометровому техпроцессу, можно разместить практически вдвое больше транзисторов, нежели в случае с 90-нанометровой технологией.

Более подробную информацию о производственных процессах Intel можно найти здесь.