Компания Elpida на проходящем в эти дни в Сан-Франциско (Калифорния, США) Форуме Intel для разработчиков (IDF 2005) продемонстрировала микросхемы оперативной памяти DDR3, которые в перспективе будут использоваться в настольных компьютерах, ноутбуках и серверах.

Представленные чипы произведены по нормам 90-нанометровой технологии и имеют емкость 512 Мбит. Скорость передачи данных, по заявлениям разработчиков, достигает 1333 Мбит/с, что примерно в два раза выше пропускной способности памяти DDR2. При этом работают новые модули при напряжении питания 1,5 В против 1,8 В у DDR2. Добиться высокой производительности при одновременном снижении энергопотребления компании Elpida удалось за счет применения двухзатворных транзисторов и системы автоматической калибровки выходного буфера.

Поставки образцов микросхем памяти DDR3 разработчики планируют начать до конца текущего года. Производство модулей ограниченными партиями будет организовано в следующем году. Кроме того, Elpida намерена выпустить чипы DDR3 емкостью в 1 Гбит и 2 Гбит.

Следует, впрочем, отметить, что массовое внедрение памяти DDR3, по всей видимости, начнется не ранее 2007 года. В настоящее время большим спросом пользуются микросхемы DDR1. Например, южнокорейская компания Samsung лишь недавно объявила о том, что доля производимых ею чипов DDR2 превысила объем производства памяти DDR1.